Disputas: Jan Håvard Bleka

Prøveforelesning

Bedømmelseskomité

Vladimir Markevich, University of Manchester, England
Maria Ganchenkova, Helsinki University of Technology, Finland
Johan Taftø, Universitetet i Oslo

Leder av disputas:  Anette E. Gunnæs

Veileder:  Prof. Bengt G. Svensson, Dr. Edouard V. Monakhov

Sammendrag

Mulig identifikasjon av defekter som inneholder hydrogen i høyrent silisium hvor defektene er genererte med bestråling med høyenergielektroner er blitt funnet. Detaljerte studier av en defekt som gradvis forsvinner i løpet av noen uker ved romtemperatur er også blitt foretatt; denne defekten kan vise seg å være viktig for lekkasjestrøm – noe som er skadelig i mange elektronikkapplikasjoner. Kunnskap om dynamikken og egenskapene til bestrålingsdefekter, og spesielt de som involverer det allsidige hydrogenatomet, gjør det mulig å endre egenskapene til defekter slik at de ikke bare blir uskadeliggjort, men i noen tilfeller også blir fordelaktige. Slik sett utgjør resultatene i denne avhandlingen et bidrag til forskningen som muliggjør utvikling av silisiumkomponenter med spesifikke egenskaper, slik som for eksempel bedre motstandsdyktighet i miljøer med høyenergistråling. Et bruksområde for silisiumdioder hvor strålingshardhet og lekkasjestrøm er essensielle parametre er som partikkeldetektorer i det innerste partikkelsporingssystemet i partikkelakseleratoren (Large Hadron Collider) på CERN, hvor detektorene har en levetid på bare noen få år på grunn av den enorme strålingen de blir utsatt for når eksperimenter utføres og protoner kollideres.

Arbeidet er innen fagfeltet fysikalsk elektronikk og ble primært utført ved Mikro- og nanoteknologilaboratoriet (MiNaLab), Fysisk institutt, Universitetet i Oslo.

Kontaktperson

For mer informasjon, kontakt Gyri Nørbech.