Disputas: Lasse Vines

Prøveforelesning

Bedømmelseskomité

Francesco Priolo, Università di Catania, Italia
Isabelle Berbezier, Faculté des Sciences et Techniques, Marseille, Frankrike
Ørjan G. Martinsen, Fysisk institutt, Universitetet i Oslo

Leder av disputas:  Arne Olsen

Veileder:  Prof. Andrej Kuznetsov, Prof. Bengt G. Svensson, Dr. Edouard V. Monakhov

Sammendrag

I denne avhandlingen har vi undersøkt elektrisk aktive punktdefekter som oppstår når tunge partikler, for eksempel silisium, jod og gull, treffer det halvledende materialet silisium med høy hastighet. Avstanden mellom defektene vil være liten, og kan derfor påvirke de elektriske egenskapene på et lokalt nivå (lokal kompensasjon) slik at man danner nanometerstore kanaler med endrede elektriske egenskaper. Slike punktdefekter oppstår under ione-implantasjon, som er en viktig teknologi for doping av halvledere. Resultatene viser at den lokale kompensasjonen først og fremst forekommer rundt kollisjonskaskader langs en ionebane, og ikke langs hele banen som tidligere har blitt foreslått. Med denne modifikasjonen kan vi forklare masseavhengigheten på defektsignalene målt ved DLTS (”deep level transient spectroscopy”). Dette er et viktig bidrag til en lengre debatt som har pågått angående denne masseavhengigheten. Et annet resultat i prosjektet er at vi har vist at man kan visualisere den lokale kompensasjonen ved bruk av skanning kapasitansmikroskopi, hvor områder (150-600nm) med høyere ladningstetthet er observert og er korrelert med implantasjonsdosen og defektenes temperaturavhengighet.

Avhandlingens emne ligger innenfor fagfeltet fysikalsk elektronikk, og er utført ved Mikro- og nanoteknologilaboratoriet, Fysisk Institutt, Universitetet i Oslo.

Kontaktperson

For mer informasjon, kontakt Gyri Nørbech.