Disputas: Lars Sundnes Løvlie

Kandidaten har studert dei mest vanlige intrinsikke defektene i silisiumkarbid (SiC) og har i detalj målt og forklart prosessane som fører til ein sterk reduksjon i antallet defekter under termisk oksidasjon (vekst av SiO₂ med SiC som substrat). I tillegg har han studert prosessar som fører til at defekter får ekstremt lange diffusjonslengder dersom overflødige elektron-hol-par er tilstade idet defektene blir generert. I begge tilfeller er eksperimentelle målinger samanlikna med numeriske simuleringer, med godt samsvar. Resultata har betydning for grunnforskinga på feltet og vil også kunne ha konsekvensar for praktisk produksjon av elektroniske komponentar i SiC.

SiC er eit halvleiarmateriale som er på veg inn i industri- og forbruker-elektronikk, og som vil føre til både lavare forbruk av energi og nye bruksområder. Materialet inneheld imidlertid ein del intrinsikke defekter som reduserar ytelsen og reproduserbarheit og som kan vere vanskelige å fjerne. Kandidaten har studert oppførselen til dei mest vanlige av desse defektene, Z_1/2, EH_6/7, m.fl., samt ein serie av omdiskuterte defekter som vanlegvis observerast i grenseflata mellom silisiumkarbid og SiO­₂. Denne strukturen dannar grunnlaget i den svært sentrale MOSFET-transistoren, og defektene i grenseflata fører til sterk degradering av ytelsen til slike transistorar av SiC.