Tid og sted for prøveforelesning
Bedømmelseskomité
- Associate Professor Jean-Michel Chauveau, University of Nice Sophia Antipolis
- Professor Ursula J. Gibson, NTNU
- Associate Professor Helge Balk, Department of Physics, University of Oslo
Leder av disputas
Professor Jøran Idar Moen
Veileder
- Professor Bengt Svensson
- Professor Edouard Monakhov
Sammendrag
Produksjon av ren og nok energi, sammen med energi-effektive systemer, har vært en av de største utfordringene i dette århundret. Halvledere er et anerkjent material innen teknologi som som kan imøte disse utfordringene gjennom solceller og energi-besparende komponenter. I den forbindelsen er sinkoksid (ZnO) ansett som et lovende material for energi-besparende systemer slik som lys-emitterende dioder og fremtidige energi-innhøstende systemer slik som solceller.
Denne avhandlingen er viet til å undersøke de elektriske egenskapene til hydrotermisk ZnO og ZnO/Si heterostrukturer. Det er spesielt lagt vekt på å undersøke defekt nivåer i båndgapet til ZnO og grenseflaten til ZnO/Si heterostruktur, hvilket er fundamentalt og vil gi en bedre forståelse av opprinnelsen til den iboende n-type dopingen, begrensningen over p-type doping og oppførselen til ZnO-baserte komponenter. De oppnådde resultatene, ved hjelp av kapasitans spektroskopi teknikker, har tillatt oss å undersøke elektriske aktive defekter. I tillegg gir varmebehandling under kontrollerte atmosfære informasjon om deres natur og opprinnelse. I ZnO/Si heterostruktur, to deponeringsteknikker er benyttet og de elektriske egenskapene til ZnO/Si-overgangen har blitt undersøkt med kapasitans spektroskopi teknikker. Resultatene gir informasjon om grensflate-defektene. Dessuten, fundamentale egenskaper til ZnO er blitt hentet ved bruk av strøm-spenning og kapasitans-spenning målinger. Disse oppnådde resultatene har betydninger for produksjon av fremtidige komponenter. Det arbeidet som er utført i denne avhandlingen bidrar til å forbedre egenskapene til ZnO og øker dets konkurransekraft inne optoelektroniske komponenter slik som lys-emitterende dioder og neste-generasjon solceller.
Dette arbeidet er utført ved Mikro- og Nanoteknologi laboratorie (MiNaLab) ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi/Fysisk Institutt på Universitetet i Oslo.
For mer informasjon
Kontakt Ekspedisjonskontoret:
e-post: ekspedisjon@fys.uio.no
Telefon: 22 85 64 28