Faglige interesser
Jeg jobber med halvledere med ultrabrede båndgap, en gruppe materialer som har båndgap over 4 eV og høye kritiske felt. Dette gjør at de er gode kandidater til å forbedre ytelsen til dagens elektroniske komponenter.
Mer spesifikt jobber jeg med å gro galliumoksid (Ga2O3) på diamant, hvor målet er å finne ut om de kan være en nyttig plattform for elektroniske komponenter. Dette gjør vi ved å studere optimale forhold for vekst av Ga2O3 og de kombinerte elektroniske egenskapene til de to materialene.
Undervisning
FYS2130 Svingninger og bølger, vår 2024
Bakgrunn
Siv. Ing. i Nanoteknologi, spesialisering i Nanoelektronikk fra NTNU